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三星闪存革命:计划到2030年推出超千层NAND技术!
在全球半导体行业中,三星电子(Samsung Electronics)一直处于技术革新的前沿。最近,三星宣布了一项雄心勃勃的计划,预计到2026年,公司的NAND闪存技术将达到400层,并在2030年突破1000层。这一技术进步不仅标志着存储解决方案的未来发展方向,也为存储密度、性能和能效设定了新的标准,显示出三星在闪存市场的强大存在感和竞争力。
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