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在全球半导体行业中，三星电子（Samsung Electronics）一直处于技术革新的前沿。最近，三星宣布了一项雄心勃勃的计划，预计到2026年，公司的NAND闪存技术将达到400层，并在2030年突破1000层。这一技术进步不仅标志着存储解决方案的未来发展方向，也为存储密度、性能和能效设定了新的标准，显示出三星在闪存市场的强大存在感和竞争力。